Yb~(3+)∶Pr~(3+)∶ZBLAN光纤中4f5d上转换激发的理论研究

利用粒子数速率方程和相关的辐射跃迁理论,计算了Yb3+∶Pr3+∶ZBLAN光纤中Pr3+离子4f5d能级两步上转换激发的动力学过程。得到不同Pr3+掺杂浓度下,激发光的光谱强度和粒子数密度的纵向分布和有效光纤长度随激发光的光谱强度的变化关系。另外,还得到了4f5d荧光强度与入射光强、光纤长度和Pr3+掺杂浓度的关系,给出了激发效率与激发光的光谱强度和Pr3+掺杂浓度的关系。     

利用爆磁压缩发生器产生高功率脉冲高电压

 爆磁压缩发生器产生脉冲高电压技术可以用于产生高功率微波及强电磁脉冲的实验研究。给出了利用螺旋型爆磁压缩发生器（HEMG）驱动电爆炸丝功率调节系统产生高功率脉冲高电压的实验方法和主要的结果。在利用HEMG驱动电爆炸丝断路开关（EEOS）产生脉冲高电压实验中，获得了最高电压700~800kV,功率大于20GW的脉冲输出。     

ASYMPTOTIC BEHAVIOR OF SOLUTIONS OF NONLINEAR DELAY DIFFERENTIAL EQUATIONS

Sufficient conditions are established for the asymptotic behavior of solutionsof nonlinear delay differential equations x′(t)+sum from i=1 to m(pi(t)x(t-т_i))=F(t,x_t),t≥0where 0<т_1<т_2<…<т_m≤r,pi∈C([0,∞)),i=1,2,…,m,F∈C([0,∞)×C_0,R).C_0=C([-r,0],R)equipped with the sup norm ||·|| forsome r>0. A new result is established, some known results are improved.     

带有给定凸切线多边形的保形五次样条逼近

本讨论带有给定切线多边形的保形逼近问题．给出了一条与给定切线多边形相切的保形五次参数祥条曲线。     

不良导体热系数和热体散热率测量方法研究(英文)

本文介绍一种直接测量散热率新方法．进而测出不良导体的热系数。该方法，减小了由间接测量散热率所带来的误差，实验装置简单，操作方便，参数少，测量结果的精确性和重复性都有较大提高，更重要的是这一新的实验方法突出了物理思想。     

Uniformly third-order accurate TVNE interpolations

In this paper, we develop an approximation procedure for functionsof bounded variations. Our procedure cannot increase the variationof the function being approximated, and also avoids discontinuityof the interpolation function.     

磁控溅射技术制备ZnO透光薄膜

采用RF磁控溅射方法,在玻璃衬底上制备了择优取向的ZnO薄膜;通过台阶仪、X射线衍射技术、原子力显微镜和分光光度计分别测量了不同溅射功率条件下淀积的ZnO薄膜厚度(淀积速率)、结晶质量、表面形貌与粗糙度、透光光谱,报道了该薄膜结晶质量、薄膜粗糙度与其在可见光区透光率的关系.     

求解通信网节点间全部路由的逻辑代数化算法

经典的D IJKSTRA和BELLM AN-F LOYD通信网络路由算法,只能根据特定网络参数得到最佳路由,却无法获得网络存在的全部可用路由,而通信网理论研究及网络管理等方面,往往需要获得节点之间的全部可用路由.研究出一种路由新算法,遵循逻辑代数运算规则、采用关联矩阵中行与行之间整合与删除方式计算,N个节点的网络只需N-1次整合及删除运算,就能得到源节点到任意节点两点之间全部路由结果.详细论证了算法的正确性与合理性,简介了算法的并行运算可行性及与经典路由算法的兼容性等问题.通过算例详细说明算法的计算过程,并验证其正确性.     

新型噻吩基取代卟啉的合成及其荧光光谱研究

合成了两种新型噻吩基卟啉－5，15－二（2－噻吩基）－2，8，12，18－四乙基－3，7，13，17－四甲基卟啉7a（45．1％）和5，15－二（2－联噻吩基）－2，8，12，18－四乙基－3，7，13，17－四甲基卟啉7b(61.2%),并研究了它们的光谱性质，其中荧光光谱的最大发射峰蜂都在631nm处，量子产率分别为4．1％（7a)和1．4％（7b)。     

Influence of Yb-Doped Nanoporous TiO2 Films on Photovoltaic Performance of Dye-Sensitized Solar Cells

Yb-doped TiO2 pastes with different Yb/TiO2 weight ratios are prepared in the sol-gel process to obtain dyesensitized solar cells （DSCs）. The nanocrystalline size of Yb-TiO2 becomes smaller and the lattice parameters change. Lattice distortion is observed and dark current is detected. It is found that a part of Yb existing as insulating oxide Yb2O3 state acts as barrier layers at the electrode-electrolyte interface to suppress charge recombination. A Yb-doped TiO2 electrode applied in DSCs leads to a higher open-circuit voltage and a higher fill factor. How the Yb-doped TiO2 films affect the photovoltaic response of DSCs is discussed.